南亞科技公司先進晶圓新廠動土典禮 深耕台灣DRAM技術自主 永續發展

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南亞科技今日於新北市泰山南林科技園區舉行新廠 動土典禮,因應未來市場需求及擴大台灣DRAM產業的發展,南亞科技規劃 投資新台幣3,000億元興建一座雙層無塵室新廠。動土典禮由台塑企業總裁王文淵及南亞科技董事長吳嘉昭主持,蔡英文總統、新北市侯友宜市長、行政院沈榮津副院長、監察院李鴻鈞副院長、經濟部王美花部長等中央及地方首長、民意代表及半導體業界人士等約320人應邀出席。

新廠基地包含「主廠房」、「研發大樓」及「水資源再生中心」,同時也將興建EUV極紫外光微影設備獨立廠房,以因應未來先進製程導入之需求。採用南亞科技自主研發的10奈米級(1A, 1B, 1C, 1D)製程技術生產DRAM晶片,並將運用「AI智慧製造」技術,全面提升製程效率。新廠規劃分三階段進行擴建,完成後月產能可達到4.5萬片晶圓,預計2025年開始裝機投片量產,全公司晶粒位元產出成長將達120%,每年預估可創造超過700億元產值,並提供約3,000個優質工作機會,間接創造產業鏈數千個就業機會。

台塑企業王文淵總裁表示:「DRAM是關鍵的零組件,即使歷經2007年至2012年DRAM市場劇烈變動和2008年全球金融海嘯等難關,台塑企業仍全力支持南亞科技挺過逆境,替台灣保留電子產業關鍵零組件的技術。而且DRAM技術更迭快速,若無研發自主,技術及擴產將無法自我掌控,為能完全擺脫營運枷鎖,南亞科技經過不斷的創新與研發,已成功開發出新世代10奈米級記憶體技術,代表台灣正式掌握DRAM半導體世界一流的先進技術能力。」

南亞科技吳嘉昭董事長表示:「為了掌握DRAM關鍵技術,南亞科技五年來研發經費增加3倍,研發人力也擴充至千人規模,全球累計專利數超過 5,000件。10奈米級第一代1A技術及產品預計於今年下半年量產,第二代1B技術及產品已進入試產,並已展開第三代1C技術以及應用於1D的EUV 技術研發工作。我們特別要感謝中央各部會及新北市政府等相關單位積極協助南亞科技各項環境影響評估及建照。南亞科技未來將持續創新研發,培育台灣 關鍵技術人才,以邁向企業永續為目標。」

南亞科技李培瑛總經理表示:「南亞科技近年來在ESG各個面向的努力,獲得國內外評選機構的高度肯定,入選「DJSI 道瓊永續世界指數及新興市場 指數」、「國際碳揭露CDP氣候變遷最高評級及水安全領導評級」、「國家永續 發展獎」、「國家企業環保獎」及「綠色工廠標章」等多項永續殊榮。在研發方面,積極開發低碳產品包括下世代記憶體DDR5、LPDDR5,可以為客戶節省16%到35%的功耗。在生產方面,落實綠色生產,溫室氣體排放量5年來降低30%,節能措施近5年累計節電達5,830萬度,製程水回收率達到90.8 %,佈局再生能源未來10年總量2.5億度太陽能。未來新廠,將以綠建築標準及智慧 建築規劃,帶動DRAM產業鏈邁向綠色生產。」https://www.nanya.com/tw/IR/16/%e6%96%b0%e8%81%9e%e7%a8%bf?IRId=793

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